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           產(chǎn)品詳細(xì)
          鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-334U 
          產(chǎn)品名稱: 鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-334U
          產(chǎn)品型號(hào): WZPK-334U
          產(chǎn)品報(bào)價(jià):
           
             
           產(chǎn)品詳細(xì):

          鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-334U

           

          WZPK-334U鎧裝薄膜鉑熱電阻是一款專為工業(yè)環(huán)境溫度測(cè)量需求設(shè)計(jì)的高性能傳感器。該產(chǎn)品采用緊湊型鎧裝結(jié)構(gòu),通過(guò)精密加工的金屬保護(hù)管封裝核心測(cè)溫元件,能夠在復(fù)雜工況下保持穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。

          核心測(cè)溫元件基于薄膜鉑電阻技術(shù),通過(guò)真空鍍膜工藝將高純度鉑材料均勻沉積于陶瓷基板表面,結(jié)合激光微調(diào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電阻值的精準(zhǔn)控制。鉑薄膜厚度經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),既保證了溫度響應(yīng)的靈敏度,又提升了元件的機(jī)械強(qiáng)度。測(cè)溫元件與保護(hù)管之間填充高密度氧化鎂絕緣材料,有效隔絕外界振動(dòng)和電磁干擾對(duì)測(cè)量精度的影響。

          產(chǎn)品外殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì),表面經(jīng)過(guò)拋光與密封處理,可適應(yīng)高溫、潮濕、粉塵及弱腐蝕性介質(zhì)環(huán)境。其鎧裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使探頭直徑更小,具備良好的機(jī)械強(qiáng)度和抗彎折能力,支持狹小空間安裝。探頭前端提供多種封裝形式,可根據(jù)實(shí)際需求選擇不同插入深度和安裝方式,適配法蘭、螺紋或固定套管等多種工業(yè)場(chǎng)景。

          在溫度測(cè)量性能方面,該產(chǎn)品覆蓋-200℃至+600℃的寬量程范圍,溫度響應(yīng)速度快,長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)異。經(jīng)過(guò)多道老化篩選測(cè)試,元件在循環(huán)溫度沖擊下仍能保持線性輸出特性,適用于石油化工、電力能源、機(jī)械設(shè)備等領(lǐng)域的連續(xù)測(cè)溫需求。產(chǎn)品出廠前經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的分度匹配,支持Pt100等多種分度號(hào)規(guī)格,可與主流溫控儀表實(shí)現(xiàn)快速對(duì)接。

          為提升使用便捷性,接線盒部分采用防塵防濺結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),內(nèi)部接線端子支持多種導(dǎo)線規(guī)格接入。整體結(jié)構(gòu)兼顧防護(hù)性與維護(hù)便利性,在保證密封性能的同時(shí)簡(jiǎn)化了后期檢修流程。產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多批次環(huán)境模擬測(cè)試,在振動(dòng)、濕熱、鹽霧等嚴(yán)苛條件下仍能保持測(cè)量精度,適用于對(duì)設(shè)備可靠性要求較高的工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)。

          簡(jiǎn)單介紹
          WZPK-334U|鎧裝薄膜鉑熱電阻 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。 4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。


           

          WZPK-334U|鎧裝薄膜鉑熱電阻

          的詳細(xì)介紹
          WZPK-334U|鎧裝薄膜鉑熱電阻
          熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化�?捎糜跍y(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
            WZPK334U鎧裝薄膜鉑熱電阻,WZPK-334U,的詳細(xì)資料:

          1.              測(cè)溫范圍、允差

          名稱

          型號(hào)

          分度號(hào)

          測(cè)溫范圍

          等級(jí)

          允許偏差

          鉑電阻

          WZP

          Pt100

          Pt10

          -200~±650

          A

          ±(0.15+0.02t)

          B

          ±0.30+0.005t

          銅電阻

          WZC

          Cu50

          Cu100

          -50~+150

           

          ±(0.30+0.006t)

          2.熱響應(yīng)時(shí)間

             在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。

          3.自熱影響

          鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。

           

          4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差

          名稱

          等級(jí)

          α

          α

          鉑電阻

          A

          0003851

          ±0.000006

          B

          ±0.000012

          銅電阻

           

          0004280

          ±0.000020

          5.絕緣電阻

               當(dāng)周圍空氣溫度15-35和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ

           

          薄膜鉑電阻元件

          一、         概述

                CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用先進(jìn)的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,完全自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品完全符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

          二、         技術(shù)特點(diǎn)

          1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50400℃的溫度下使用。

          2.              鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

          3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。

          4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

          5.              規(guī)格:

          型號(hào)

          規(guī)格

          長(zhǎng)×寬×高

          阻值

          測(cè)量電流

          精度

          測(cè)量范圍

          熱響應(yīng)時(shí)間

          CRZ-1632

          3.2×1.6×1.0

          PT100

          PT100

          1mA

          A

          -50550

          0.3S

          CRZ-2005

          5.0×2.0×1.1

          PT50

          2mA

          A

          -50400

          CRZ-2005

          5.0×2.0×1.0

          PT10

          0.5mA

          B

          -50500

          6.              精度:

          等級(jí)

          α

          0時(shí)的電阻值(Ω)

          允許偏差(Ω)

          A

           0.003851

          100.00

          ±0.150+0.002t

          B

          0.003851

          100.00

          ±0.30+0.005t

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